据外媒报道，由武汉大学周圣军教授带领的研究团队在蓝宝石衬底上开发了高效GaN基绿光LED。研究团队建议采用由溅射AIN（Sputtered AlN）及中温GaN器件组成的混合成核层（Hybrid Nucleation Layer），以提高GaN基绿光LED的量子效率。

目前，在完全可见光范围内开发高效III族氮化物发射器极具吸引力，而多种色彩III族氮化物发射器的融合可实现高效、精准的混合光谱管理，从而制造出高分辨率的显示器和各种智能照明应用，但目前主要的障碍是III族氮化物发射器在绿色到黄褐色光谱区域的效率不佳。

为此，武汉大学研究者采用新型混合成核层，在蓝宝石衬底上制造高效InGaN/GaN绿光LED。在生产过程中，混合成核层及GaN表面会生成一个层错带结构（Stacking Fault Structure），有助于实现热错配应力补偿（Misfit Stress Compensation）。

得益于最开始的热错配应力缓和，错位密度（Disloaction Density）和绿光LED中的残余应力（Residual Stress）有所降低。因此，在大规模量产过程中，研究团队将效率提升了约16%。

武汉大学研究团队表示，对于在绿色到黄褐色区域实现高效的III族氮化物发射器，混合成核层的应用前景十分可期。