扫描电子显微镜

型号：GeminiSEM系列

品牌：ZEISS

GeminiSEM系列，适用于各种材料的高分辨成像与分析的场发射扫描电镜

GeminiSEM 系列产品具有出色的探测效率，能够轻松地实现亚纳米级分辨率的成像。更高的表面细节信息灵敏度让您具备更高的样品灵活性，为您的研究、工业实验室、成像平台或教育机构提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术与方案。运用 GeminiSEM 系列产品可获取各类样品在微观世界中清晰、真实的图像。

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产品简介

GeminiSEM 500融合了 Gemini 1电子光学镜筒的创新设计，从而全面提升了成像分辨率，尤其是在低电压下。

GeminiSEM 450配备 Gemini 2 双聚光镜电子光学镜筒，灵活且易于使用，在成像与分析方面性能优异、稳定可靠。

GeminiSEM 300能够对敏感表面成像，具有更高的衬度、出色的分辨率和超大成像视野，即使是初学者也能很快掌握。

产品优势

更简单、更智能、更高度集成

低电压下信号更强，细节更丰富
分析时具有更高的表面灵敏度
更灵活的样品成像

洞察产品背后的科技

充分发挥 Gemini 电子光学系统设计的优势
全套探测系统：根据出射能量和出射角区分离开样品的电子
更丰富的细节信息、更具灵活性
更丰富的细节信息、更强的信号
充分发挥 Gemini 2 光学系统的性能

产品参数

已选的探测器和附件	探测器和附件的性能优势	GeminiSEM 500	GeminiSEM 450	GeminiSEM 300
Inlens SE 探测器（镜筒内二次电子）	超高分辨率表面信息	●	●	●
Inlens BSE 探测器（镜筒内能量选择背散射探测器）	成分衬度	○	○	○
样品室二次电子探测器	表面形貌信息	●	●	●
VPSE 探测器	在可变压力模式下进行高效成像	●*	●*	●*
AsB4 探测器（角度选择背散射）	组份和晶体衬度，三维表面建模	–	○	○
aBSD 探测器	多达 4 通道同时成像的6象限背散射电子探测器，可用于组份和晶体取向分析及三维表面建模	○	○	○
aSTEM 探测器（环形 STEM）	7象限透射电子探测器，可用于高分辨率透射成像○	○	○	○
EDS 探测器（能谱仪）	元素分析	○	○	○
EBSD 探测器（背散射电子衍射）	检测晶体取向	○	○	○
CL 探测器	使用阴极荧光进行材料表征	○	○	○
WDS 探测器（波谱仪）	高能量分辨率元素分析	○	○	○
3DSM（三维表面建模）	实时三维表面建模模块	○	○	○
80 mm 样品交换室	在 45 秒内完成样品转移	○	○	○
等离子清洗仪	柔和地去除样品污染	○	○	○
NanoVP	高达500Pa的可变压力真空，用以减少非导电样品的表面荷电现象	○	○	○
局部电荷中和器	局部气体注入，用以减少非导电样品的表面荷电现象	○	○	○
局部电荷中和器与原位氧气清洗	样品表面的原位清洗，用以减少非导电样品的表面荷电现象	○	○	○
样品台减速技术（Tandem decel）	高达5kV的样品台减速偏压，用以在低着陆能量下提供高分辨率和高衬度	○	○	○
●包含在内 ○ 可选配 *包含在 NanoVP 选件中

技术参数

基本规格	蔡司 GeminiSEM 500	蔡司 GeminiSEM 450	蔡司 GeminiSEM 300
分辨率*	0. 4 nm @ 30 kV（ STEM）	0. 6 nm @ 30 kV（ STEM）	0. 6 nm @ 30 kV（STEM）
	0. 5 nm @ 15 kV	0. 7 nm @ 15 kV	0. 7 nm @ 15 kV
	0. 9 nm @ 1 kV	1. 1 nm @ 1 kV / 500 V	1. 2 nm @ 1 kV
	0. 8 nm @ 1 kV TD	1. 0 nm @ 1 kV / 500 V TD	1. 1 nm @ 1kV TD
	1. 0 nm @ 500 V	1. 5 nm @ 200 V	-
分析分辨率	–	2.0nm@15kV，5nA，工作距离8.5mm	-
背散射电子分辨率（ Inlens BSE）	1. 0 nm @ 1 kV	1. 2 nm @ 1 kV	1. 2 nm @ 1 kV
可变压力模式（30Pa）下的分辨率	1. 4 nm @ 3 kV	1. 4 nm @ 3 kV	1. 4 nm @ 3 kV
可变压力模式（30Pa）下的分辨率		1. 0 nm @ 15 kV	1. 0 nm @ 15 kV
加速电压	0. 02– 30 kV	0. 02– 30 kV	0. 02– 30 kV
探针电流	3 pA– 20 nA（100 nA 配置可选）	3 pA– 40 nA（100 nA 或 300 nA 配置可选）	3 pA– 20 nA（100 nA 配置可选）
放大倍率	50– 2, 000, 000	12– 2, 000, 000	12– 2, 000, 000
电子枪	热场发射型，稳定性优于0.2 %/h
基本配置中提供的探测器	Inlens 二次电子探测器
	Everhart Thornley 二次电子探测器
	高效 VPSE 探测器（包含在可变压力选件中）
选配探测器	–	角度选择背散射探测器（ AsB4）
选配探测器		环形 STEM 探测器（ aSTEM4）
存储分辨率	最高达 32k × 24k 像素
样品台	5 轴电动优中心样品台
	X = 130 mm；Y = 130 mm
	Z = 50 mm
	T = – 4º – 70º
	R = 360º（连续）
	按需还可提供更多的样品台选件

最终安装完成后，在1kV和15kV高真空条件下进行系统验收测试时获得的分辨率。