1.易操作式多功能选配附件

• 简单易操作：PHI GENESIS 提供了一种全新的用户体验，仪器高性能、全自动化、简单易操作。 操作界面可在同一个屏幕内设置常规和高级的多功能测试参数，同时保留诸如进样照片导航和 SXI 二次电子影 像精准定位等功能。

• 简单友好的用户界面：PHI GENESIS 提供了 一个简单、直观且易于操作的用户界面， 对于操作人员非常友 好，操作人员执行简单的设置操作即可完成包括所有选配附件 在内的自动化分析。

• 多功能选配附件：原位的多功能自动化分析，涵盖了从 LEIPS 测试导带到 HAXPES 芯能级激发 的全范围技术，相比于传统的 XPS 而言， PHI GENESIS 体现了前所未有的性能价 值。

• 全面的优良解决方案 ：高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多种其他 选配附件可以满足所有表面分析需求。

2.全自动样品传送停放

3.高性能大面积和微区 XPS 分析

• 多数量样品大面积分析

1. - 多数量样品大面积分析 - 把制备好样品的样品托放进进样腔室后将自动传送进分析腔室内 

2. - 可同时使用三个样品托 

3. - 80mm×80mm 的大样品托可放置多数量样品 

4. - 可分析粉末、粗糙表面、绝缘体、形状复杂等各种各样的样品

• 独一无二的可聚焦≤ 5μm 的微区 X 射线束斑：在 PHI GENESIS中，聚焦扫描 X 射线源可以激发二次电子影像（SXI），利用 二次电子影像可以进行导航、精准零误 差定位、多点多区域同时分析测试以及深度剖析。

       

• 大幅提升的二次电子影像 （SXI）：二次电子影像（SXI）精准零误差定 位，保证了所见即所得。 卓越的 5μmX 射线束斑为微区 XPS 分析应用提供了新的机遇。

  
  

4.快速精准深度剖析

     PHI GENESIS 可实现高性能的深度剖析。聚焦 X 射线源、高灵敏度探测器、高性能氩离子枪和高效双束中和系 统可实现全自动深度剖析，包括在同一个溅射刻蚀坑内进行多点同时分析。

• 高性能的深度剖析能力：( 下图左 ) 全固态电池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地显示了在 2.0 μm 以下富 Li 界面的存在。 ( 下图右 ) 在 LiPON 膜沉积初期，可以看到氧从 LiCoO2 层转移到 LiPON 层中，使 Co 在 LiCoO2 层富 Li 界面由 氧化态还原为金属态。

• 角分辨 XPS 分析：PHI GENESIS XPS 的高灵敏度微区分析和高度可重 现的中和性能确保了对样品角分辨分析的卓越性 能。另外，样品倾斜和样品旋转相结合，可同时实 现角度的高分辨率和能量的高分辨率。

• 无需溅射刻蚀的深度探索：下一代透明发光材料使用直径约为 10nm~50nm 的 纳米量子点（QDs），结合使用 XPS（Al Kα X 射线） 和 HAXPES（Cr Kα X 射线）对同一微观特征区域进 行分析，可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。 XPS 和 HAXPES 的结合使用，可以对纳米颗粒进行 深度分辨、定量和化学态分析，从而避免离子束溅 射引起的损伤。

• 深层界面的分析：在两种 x 射线源中，只有 Cr Ka XPS 能探测到 Y2O 3 下方距离表面 14nm 处的 Cr 层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外，通过比较，光电子起飞角 90°和 30°的 Cr Kα 谱图结果发现在较浅 ( 表面灵敏度更高 ) 的起飞角时，氧化物的强度 较高，表明 Cr 氧化物处于 Y2O 3 和 Cr 层之间的界面。

• 内核电子的探测：Cr Kα 提供了额外的 Al Kα 不能获取的内核电子。 基于 Cr Kα 的高能光电子，通常有多个额外的 跃迁可用于分析。

  

  
  

5.为电池、半导体、有机器件以及其他各领域提供全面解决方案

主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材 料及器件领域。 用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料，其研发依赖于化学结 构到性能的不断优化。ULVAC-PHI, Inc. 提供的全新表面分析仪器 “PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦 X射线光电子能谱仪，具有卓越性能、高自动化和灵活的扩展能力，可以满足客户的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平台在各种研究领域的应用：

• 电池 ：“LiPON/LiCoO2 横截面的 pA-AES Li 化学成像” Li 基材料例如 LiPON，对电子束辐照敏感。 PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速获取 AES 化学成像。

• 有机器件：使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 测量能带结构 （1）C 60 薄膜表面 （2）C 60 薄膜表面清洁后 （3）C 60 薄膜 /Au 界面 （4）Au 表面  通过 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。

• 半导体：半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成，它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分 析。为了从深层界面获取信息，例如栅极氧化膜下的 GaN，使用 HAXPES 是非常有必要的。

•     微电子：微小焊锡点分析 HAXPES 分析数据显示金属态 Sn 的含量 高于 XPS 分析数据，这是由于 Sn 球表 面被氧化，随着深度的加深，金属态 Sn 的含量越高，正好符合 HAXPES 分析深 度比 XPS 深的特点。

多功能选配附件

UPS 紫外光电子能谱、LEIPS低能反光电子能谱、AES/SAM 俄歇电 子能谱、REELS 反射式能量损失谱、双阳 极 X 射线源（Mg/Zr、Mg/Al）、Ar-GCIB 氩团簇离子源、Ar-GCIB 簇大小测量工具、C60 源子离簇团 （ VK02 样、） 品加热冷却模块、4 电触点加热冷却模块、样品保护传送模块、SPS 样品定位系统等等。